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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > CSD18542KTTT
CSD18542KTTT
Número de pieza:
CSD18542KTTT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13037 Pieces
Ficha de datos:
CSD18542KTTT.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):250W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Otros nombres:296-44124-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):2 (1 Year)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD18542KTTT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5070pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:57nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 200A (Ta), 170A (Tc) 250W (Tc) DDPAK/TO-263-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Ta), 170A (Tc)
Email:[email protected]

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