CS8312YDR8
Número de pieza:
CS8312YDR8
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15545 Pieces
Ficha de datos:
CS8312YDR8.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:7 V ~ 10 V
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:CS8312YDR8OS
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:1
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CS8312YDR8
Tensión lógica - VIL, VIH:-
Tipo de entrada:Non-Inverting
Tipo de Puerta:IGBT, N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configuración impulsada:Low-Side
Descripción:IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):-
Corriente de carga:Single
Email:[email protected]

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