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CN649 TR
- Número de pieza:
- CN649 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GP 600V 400MA DO-41SP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 19308 Pieces
- Ficha de datos:
- CN649 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CN649 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CN649 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 400mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | DO-41 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CN649 TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-41 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GP 600V 400MA DO-41SP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 200nA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 400mA |
| Capacitancia Vr, F: | 11pF @ 12V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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