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CMUDM8001 TR
- Número de pieza:
- CMUDM8001 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15119 Pieces
- Ficha de datos:
- CMUDM8001 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CMUDM8001 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CMUDM8001 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-523 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 250mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-523 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CMUDM8001 TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 45pF @ 3V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.66nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SOT-523 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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