Comprar CMRDM3575 TR con BYCHPS
Compre con garantía
CMRDM3575 TR
- Número de pieza:
- CMRDM3575 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT963
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15722 Pieces
- Ficha de datos:
- CMRDM3575 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CMRDM3575 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CMRDM3575 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-963 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 125mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-963 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CMRDM3575 TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.46nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 160mA, 140mA 125mW Surface Mount SOT-963 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V SOT963 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160mA, 140mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de CMRDM3575 TR
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BSL207NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP | Investigación |
 |
NTJD4401NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363 | Investigación |
 |
CSD87333Q3DT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | Investigación |
 |
SI4340DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO | Investigación |
 |
APTM50DDA10T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 | Investigación |
 |
ALD210814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | Investigación |
 |
ALD1102PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | Investigación |
 |
FDG6313N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | Investigación |
 |
NX3008NBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666 | Investigación |
|
ALD111910MAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 8MSOP | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog