CMF01(TE12L,Q,M)
Número de pieza:
CMF01(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18485 Pieces
Ficha de datos:
CMF01(TE12L,Q,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:2V @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:M-FLAT (2.4x3.8)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):100ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOD-128
Otros nombres:CMF01(TE12L,Q)
CMF01(TE12L,Q)-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction:-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:CMF01(TE12L,Q,M)
Descripción ampliada:Diode Standard 600V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 600V 2A MFLAT
Corriente - Fuga inversa a Vr:50µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):2A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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