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CLH05,LMBJQ(O
- Número de pieza:
- CLH05,LMBJQ(O
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16098 Pieces
- Ficha de datos:
- CLH05,LMBJQ(O.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CLH05,LMBJQ(O, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CLH05,LMBJQ(O por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 0.98V @ 5A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | L-FLAT™ (4x5.5) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 35ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | L-FLAT™ |
| Otros nombres: | CLH05LMBJQ(O CLH05LMBJQO |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | CLH05,LMBJQ(O |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 5A (DC) Surface Mount L-FLAT™ (4x5.5) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 5A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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