C4D05120E-TR
C4D05120E-TR
Número de pieza:
C4D05120E-TR
Fabricante:
Cree
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19392 Pieces
Ficha de datos:
C4D05120E-TR.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para C4D05120E-TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para C4D05120E-TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar C4D05120E-TR con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.8V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:TO-252-2
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:Z-Rec®
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:C4D05120E-TR
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 19A Surface Mount TO-252-2
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 19A TO252-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:150µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io):19A
Capacitancia Vr, F:390pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios