C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
Número de pieza:
C3M0280090J-TR
Fabricante:
Cree
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 11A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16983 Pieces
Ficha de datos:
C3M0280090J-TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):+18V, -8V
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:D2PAK-7
Serie:C3M™
RDS (Max) @Id, Vgs:360 mOhm @ 7.5A, 15V
La disipación de energía (máximo):50W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Otros nombres:C3M0280090J-TRTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:C3M0280090J-TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 600V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:9.5nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 11A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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