BYW29-200G
BYW29-200G
Número de pieza:
BYW29-200G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17623 Pieces
Ficha de datos:
BYW29-200G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.3V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:TO-220-2
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:SWITCHMODE™
Tiempo de recuperación inversa (trr):35ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-2
Otros nombres:BYW29-200G-ND
BYW29-200GOS
BYW29200G
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:BYW29-200G
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-2
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):8A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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