BYT51M-TAP
Número de pieza:
BYT51M-TAP
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18338 Pieces
Ficha de datos:
BYT51M-TAP.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:SOD-57
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4µs
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:SOD-57, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:BYT51M-TAP
Descripción ampliada:Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Through Hole SOD-57
Tipo de diodo:Avalanche
Descripción:DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):1.5A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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