BYM11-800-E3/96
BYM11-800-E3/96
Número de pieza:
BYM11-800-E3/96
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12690 Pieces
Ficha de datos:
1.BYM11-800-E3/96.pdf2.BYM11-800-E3/96.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.3V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):800V
Paquete del dispositivo:DO-213AB
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:SUPERECTIFIER®
Tiempo de recuperación inversa (trr):500ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-213AB, MELF (Glass)
Otros nombres:BYM11-800-E3/96-ND
BYM11-800-E3/96GITR
BYM11800E396
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:21 Weeks
Número de pieza del fabricante:BYM11-800-E3/96
Descripción ampliada:Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-213AB
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:sales@bychips.com

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