BYG23M-E3/TR
BYG23M-E3/TR
Número de pieza:
BYG23M-E3/TR
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13267 Pieces
Ficha de datos:
1.BYG23M-E3/TR.pdf2.BYG23M-E3/TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:DO-214AC (SMA)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):75ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-214AC, SMA
Otros nombres:BYG23M-E3/TR-ND
BYG23ME3TR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:BYG23M-E3/TR
Descripción ampliada:Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Tipo de diodo:Avalanche
Descripción:DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):1.5A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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