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BYG10KHE3/TR
- Número de pieza:
- BYG10KHE3/TR
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15702 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.BYG10KHE3/TR.pdf2.BYG10KHE3/TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BYG10KHE3/TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BYG10KHE3/TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.15V @ 1.5A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | DO-214AC (SMA) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4µs |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-214AC, SMA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BYG10KHE3/TR |
| Descripción ampliada: | Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Tipo de diodo: | Avalanche |
| Descripción: | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1.5A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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