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BY399P-E3/54
- Número de pieza:
- BY399P-E3/54
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14795 Pieces
- Ficha de datos:
- BY399P-E3/54.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BY399P-E3/54, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BY399P-E3/54 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | DO-201AD |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 500ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-201AD, Axial |
| Otros nombres: | BY399P-E3/54-ND BY399PE354 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -50°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BY399P-E3/54 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | 28pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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