Comprar BUK9Y58-75B,115 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.15V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±15V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 53 mOhm @ 10A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 60.4W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | SC-100, SOT-669 |
Otros nombres: | 1727-4617-2 568-5529-2 568-5529-2-ND 934063306115 BUK9Y5875B115 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | BUK9Y58-75B,115 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1137pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 10.7nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 75V 20.73A (Tc) 60.4W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 75V |
Descripción: | MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.73A (Tc) |
Email: | [email protected] |