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BUK9C1R3-40EJ
- Número de pieza:
- BUK9C1R3-40EJ
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14346 Pieces
- Ficha de datos:
- BUK9C1R3-40EJ.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BUK9C1R3-40EJ, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BUK9C1R3-40EJ por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.3 mOhm @ 90A, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Otros nombres: | 934067866118 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BUK9C1R3-40EJ |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 190A (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 40V D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 190A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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