Comprar BUK7E4R0-80E,127 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I2PAK |
Serie: | TrenchMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 349W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | 568-9854-5 934066516127 BUK7E4R080E127 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | BUK7E4R0-80E,127 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12030pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 169nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 80V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
Descripción: | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |