BUK761R8-30C,118
BUK761R8-30C,118
Número de pieza:
BUK761R8-30C,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17374 Pieces
Ficha de datos:
BUK761R8-30C,118.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.8 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):333W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:568-5854-2
934060132118
BUK761R8-30C,118-ND
BUK761R830C118
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUK761R8-30C,118
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10349pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 100A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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