BUK6E4R0-75C,127
BUK6E4R0-75C,127
Número de pieza:
BUK6E4R0-75C,127
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18113 Pieces
Ficha de datos:
BUK6E4R0-75C,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I2PAK
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.2 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):306W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:1727-5890
568-7507-5
568-7507-5-ND
934064221127
BUK6E4R0-75C,127-ND
BUK6E4R075C127
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BUK6E4R0-75C,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15450pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:234nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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