BUK6507-55C,127
BUK6507-55C,127
Número de pieza:
BUK6507-55C,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17599 Pieces
Ficha de datos:
BUK6507-55C,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.8V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):158W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUK6507-55C,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5160pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 100A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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