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BSZ215CHXTMA1
- Número de pieza:
- BSZ215CHXTMA1
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19446 Pieces
- Ficha de datos:
- BSZ215CHXTMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSZ215CHXTMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSZ215CHXTMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 2.5W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | SP001277210 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSZ215CHXTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 419pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel Complementary |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A, 3.2A |
| Email: | [email protected] |
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