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BSZ050N03LSGATMA1
BSZ050N03LSGATMA1
Número de pieza:
BSZ050N03LSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19024 Pieces
Ficha de datos:
BSZ050N03LSGATMA1.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 50W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSZ050N03LS G
BSZ050N03LSG
BSZ050N03LSGINTR
BSZ050N03LSGINTR-ND
BSZ050N03LSGXT
SP000304139
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSZ050N03LSGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 16A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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