BSZ018NE2LS
BSZ018NE2LS
Número de pieza:
BSZ018NE2LS
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13158 Pieces
Ficha de datos:
BSZ018NE2LS.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TSDSON-8-FL
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 69W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSZ018NE2LSDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSZ018NE2LS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 23A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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