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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > BSS138Q-7-F
BSS138Q-7-F
BSS138Q-7-F
Número de pieza:
BSS138Q-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14273 Pieces
Ficha de datos:
BSS138Q-7-F.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 Ohm @ 220mA, 10V
La disipación de energía (máximo):300mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:BSS138Q-7-FDI
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSS138Q-7-F
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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