Comprar BSS131H6327XTSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 56µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
Serie: | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Otros nombres: | BSS131 H6327 BSS131 H6327-ND BSS131 H6327TR-ND BSS131H6327 BSS131H6327XTSA1TR SP000702620 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | BSS131H6327XTSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 77pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.1nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 240V |
Descripción: | MOSFET N-CH 240V 0.11A SOT23 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 110mA (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |