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BSS123E6327
- Número de pieza:
- BSS123E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13040 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS123E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS123E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS123E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS123E6327XT BSS123INTR BSS123XTINTR BSS123XTINTR-ND SP000011165 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS123E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 69pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.67nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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