Comprar BSS123ATA con BYCHPS
Compre con garantía
BSS123ATA
- Número de pieza:
- BSS123ATA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13122 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS123ATA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS123ATA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS123ATA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS123ATR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSS123ATA |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSS123ATA
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | Investigación |
 |
TK65A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 | Investigación |
 |
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | Investigación |
|
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 | Investigación |
|
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 | Investigación |
 |
IPB110N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 | Investigación |
|
BSS123TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Investigación |
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Investigación |
|
BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Investigación |
|
BSS123ATC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Investigación |
|
BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Investigación |
|
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog