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BSR802N L6327
- Número de pieza:
- BSR802N L6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19104 Pieces
- Ficha de datos:
- BSR802N L6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSR802N L6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSR802N L6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 750mV @ 30µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SC-59 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSR802N L6327-ND BSR802N L6327INTR BSR802NL6327 BSR802NL6327HTSA1 SP000442484 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSR802N L6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1447pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.7nC @ 2.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 2.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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