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BSR58LT1G
- Número de pieza:
- BSR58LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- JFET N-CH 40V 350MW SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19168 Pieces
- Ficha de datos:
- BSR58LT1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSR58LT1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSR58LT1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 800mV @ 1µA |
|---|---|
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS): | 40V |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | 60 Ohm |
| Potencia - Max: | 350mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSR58LT1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | JFET N-Channel 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 8mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BSR58LT1G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
J175 | Central Semiconductor Corp | JFET P-CHAN 30V TO92 | Investigación |
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