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BSP89 E6327
- Número de pieza:
- BSP89 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16727 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP89 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP89 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP89 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.8V @ 108µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP89E6327T SP000011160 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP89 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 240V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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