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BSP373 E6327
- Número de pieza:
- BSP373 E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15768 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP373 E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP373 E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP373 E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP373E6327T SP000011121 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP373 E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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