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BSP320S E6327
- Número de pieza:
- BSP320S E6327
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15757 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP320S E6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP320S E6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP320S E6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 20µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP320SE6327T SP000011115 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP320S E6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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