Comprar BSP298H6327XUSA1 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
Serie: | SIPMOS® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
Otros nombres: | BSP298H6327XUSA1TR SP001058626 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | BSP298H6327XUSA1 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 400V 500mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 400V |
Descripción: | MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Ta) |
Email: | [email protected] |