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BSO615C G
- Número de pieza:
- BSO615C G
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15054 Pieces
- Ficha de datos:
- BSO615C G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSO615C G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSO615C G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSO615C G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Email: | [email protected] |
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