BSO200P03SHXUMA1
BSO200P03SHXUMA1
Número de pieza:
BSO200P03SHXUMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12102 Pieces
Ficha de datos:
BSO200P03SHXUMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-DSO-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 9.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.56W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSO200P03SHXUMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 7.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta)
Email:[email protected]

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