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BSH111BKR
- Número de pieza:
- BSH111BKR
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18585 Pieces
- Ficha de datos:
- BSH111BKR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSH111BKR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSH111BKR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 302mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1727-2340-2 568-12637-2 568-12637-2-ND 934068056215 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSH111BKR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 30pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 210mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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