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BSG0813NDIATMA1
- Número de pieza:
- BSG0813NDIATMA1
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14442 Pieces
- Ficha de datos:
- BSG0813NDIATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSG0813NDIATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSG0813NDIATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-TISON-8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| Potencia - Max: | 2.5W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | SP001241676 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSG0813NDIATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A, 33A |
| Email: | [email protected] |
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