BSC196N10NSGATMA1
BSC196N10NSGATMA1
Número de pieza:
BSC196N10NSGATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13365 Pieces
Ficha de datos:
BSC196N10NSGATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 42µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:19.6 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo):78W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC196N10NS G
BSC196N10NS G-ND
BSC196N10NS GTR-ND
BSC196N10NSG
SP000379604
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC196N10NSGATMA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta), 45A (Tc)
Email:[email protected]

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