BSC080P03LS G
BSC080P03LS G
Número de pieza:
BSC080P03LS G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17325 Pieces
Ficha de datos:
BSC080P03LS G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 89W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC080P03LS G-ND
BSC080P03LS GTR
BSC080P03LSG
BSC080P03LSGAUMA1
SP000359664
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC080P03LS G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6140pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:122.4nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 16A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

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