BSC037N025S G
BSC037N025S G
Número de pieza:
BSC037N025S G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12472 Pieces
Ficha de datos:
BSC037N025S G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 50µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta), 69W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC037N025SGXT
SP000095466
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante:BSC037N025S G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3660pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 100A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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