BSC014N03MS G
BSC014N03MS G
Número de pieza:
BSC014N03MS G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14344 Pieces
Ficha de datos:
BSC014N03MS G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSC014N03MS G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSC014N03MS G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar BSC014N03MS G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 139W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC014N03MS G-ND
BSC014N03MSG
BSC014N03MSGATMA1
SP000394681
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC014N03MS G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:173nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios