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Casa > Productos > Power Management IC > IC de gestión de energía - Controladores de puerta > BS2100F-E2
BS2100F-E2
BS2100F-E2
Número de pieza:
BS2100F-E2
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
IC DVR IGBT/MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15402 Pieces
Ficha de datos:
BS2100F-E2.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BS2100F-E2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BS2100F-E2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Suministro de voltaje:10 V ~ 18 V
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
Tiempo de subida / bajada (típico):200ns, 100ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres:BS2100F-E2TR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BS2100F-E2
Tensión lógica - VIL, VIH:1V, 2.6V
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap):600V
Tipo de Puerta:N-Channel MOSFET
Descripción ampliada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
Configuración impulsada:Half-Bridge
Descripción:IC DVR IGBT/MOSFET
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero):60mA, 130mA
Corriente de carga:Independent
Email:[email protected]

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