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BS107ARL1G
- Número de pieza:
- BS107ARL1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19453 Pieces
- Ficha de datos:
- BS107ARL1G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BS107ARL1G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BS107ARL1G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | BS107ARL1GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BS107ARL1G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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