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BLF8G10LS-160,112
- Número de pieza:
- BLF8G10LS-160,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19882 Pieces
- Ficha de datos:
- BLF8G10LS-160,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLF8G10LS-160,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLF8G10LS-160,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 30V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | SOT502B |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 35W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-502B |
| Otros nombres: | 934065908112 BLF8G10LS-160112 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BLF8G10LS-160,112 |
| Ganancia: | 19.7dB |
| Frecuencia: | 920MHz ~ 960MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
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