Comprar BLF25M612,112 con BYCHPS
Compre con garantía
BLF25M612,112
- Número de pieza:
- BLF25M612,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18509 Pieces
- Ficha de datos:
- BLF25M612,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLF25M612,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLF25M612,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | CDFM2 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 12W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-975B |
| Otros nombres: | 934066219112 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BLF25M612,112 |
| Ganancia: | 19dB |
| Frecuencia: | 2.45GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 2.45GHz 19dB 12W CDFM2 |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLF25M612,112
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 | Investigación |
 |
BF1210,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | Investigación |
 |
BLF25M612G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Investigación |
|
MRF5S21045MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 | Investigación |
 |
BLF25M612,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | Investigación |
 |
BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | Investigación |
|
BLF25M612G,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Investigación |
 |
SLD-1083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | Investigación |
 |
BLL6H1214-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Investigación |
|
MRF19125R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 | Investigación |
 |
ATF-54143-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog