Comprar BLA6H0912L-1000U con BYCHPS
Compre con garantía
BLA6H0912L-1000U
- Número de pieza:
- BLA6H0912L-1000U
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18889 Pieces
- Ficha de datos:
- BLA6H0912L-1000U.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLA6H0912L-1000U, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLA6H0912L-1000U por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 50V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 100V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Paquete del dispositivo: | SOT539A |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 1000W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT539A |
| Otros nombres: | 1603-1009 934067402112 BLA6H0912L-1000U-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BLA6H0912L-1000U |
| Ganancia: | 15.5dB |
| Frecuencia: | 1.03GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539A |
| Descripción: | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLA6H0912L-1000U
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6H0912LS-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B | Investigación |
 |
BF245B_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | Investigación |
 |
BLA6H0912-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A | Investigación |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | Investigación |
 |
PTVA120501EAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | Investigación |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | Investigación |
 |
CRF24010PE | Cree/Wolfspeed | FET RF 120V 1.95GHZ 440196 | Investigación |
 |
PXFC192207SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
 |
BLA6H1011-600,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Investigación |
 |
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | Investigación |
 |
MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog