Comprar BLA1011-300,112 con BYCHPS
Compre con garantía
BLA1011-300,112
- Número de pieza:
- BLA1011-300,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15696 Pieces
- Ficha de datos:
- BLA1011-300,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLA1011-300,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLA1011-300,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 32V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | LDMOST |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 300W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SOT-957A |
| Otros nombres: | 934059724112 BLA1011-300 BLA1011-300-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BLA1011-300,112 |
| Ganancia: | 16.5dB |
| Frecuencia: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS 32V 150mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.5dB 300W LDMOST |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A |
| Valoración actual: | 15A |
| Corriente - Prueba: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLA1011-300,112
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA1011-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | Investigación |
 |
BLA1011-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 15DB SOT467C | Investigación |
|
BLA1011-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | Investigación |
 |
BLA1011S-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B | Investigación |
|
BLA1011S-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B | Investigación |
 |
BLA1011-2,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A | Investigación |
 |
MRFE6S9201HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | Investigación |
 |
A2I20H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog