Comprar BG5120KE6327HTSA1 con BYCHPS
Compre con garantía
BG5120KE6327HTSA1
- Número de pieza:
- BG5120KE6327HTSA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14729 Pieces
- Ficha de datos:
- BG5120KE6327HTSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BG5120KE6327HTSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BG5120KE6327HTSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 5V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 8V |
| Tipo de transistor: | 2 N-Channel (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT363-6 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | BG 5120K E6327 BG 5120K E6327-ND SP000292148 |
| Figura de ruido: | 1.1dB |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BG5120KE6327HTSA1 |
| Ganancia: | 23dB |
| Frecuencia: | 800MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 23dB PG-SOT363-6 |
| Descripción: | MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363 |
| Valoración actual: | 20mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BG5120KE6327HTSA1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6S9045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | Investigación |
 |
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Investigación |
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Investigación |
|
MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Investigación |
 |
LET9180 | STMicroelectronics | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 | Investigación |
 |
MAGX-002731-180L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | Investigación |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | Investigación |
 |
J309_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | Investigación |
 |
BG5120KH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363 | Investigación |
 |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Investigación |
|
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | Investigación |
 |
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers