BDV65
Número de pieza:
BDV65
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
17492 Pieces
Ficha de datos:
BDV65.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:-
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TO-218
Serie:-
Potencia - Max:125W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-218-3
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BDV65
Frecuencia - Transición:60MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
Descripción:POWER TRANSISTOR NPN TO218
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 5A, 4V
Corriente - corte del colector (Max):-
Corriente - colector (Ic) (Max):12A
Email:[email protected]

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